各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。现应用较普遍的是溶剂萃取法,它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。例如,在半导体集成电路制造过程中,以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线:在平面显示器产业中,各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展,有的已经用于电脑及计算机的显示器制造;在信息存储产业中,磁性存储器的存储容量不断增加,新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求,需求数量也逐年增加。
超纯金属,指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准,常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属,一般指金属纯度达到纯度9以上的金属,物理杂质的概念才是有意义的。
材料的纯度对其性能,特别是微电子学、光电子学性能影响很大,现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。
中国的贵金属工业由于较长时期处于国家计划经济体制,因此发展比较缓慢,特别是铂族金属起步更是比较晚,工艺技术比较落后,国内资源更是匮乏,直到改革开放以后,以上海黄金的开业为标志,在这三十年里,才得到了迅速的发展,出现了现货、纸黄金、纸白银等等的交易模式,为投资者开打了通往财富的大门,更多的开辟了就业渠道,同时铂族金属的生产加工企业和流通领域的企业也似雨后春笋,蓬勃发展,使中国成为很大的的铂族金属进口和消费国。各种生产工艺及其特点简介如下:热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm2~2000kgf/cm2的压力下等方加压烧结。
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